CER-DIP/陶瓷直插
FQP13N50C
N-FET硅N沟道
A/宽频带放大
FAIRCHILD/*童
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
企业名：陈德民
类型：经销商
电话： 754-84475714
联系人：陈德民
地址：广东汕头广东省汕头市潮南区陈仙路16号
产品技术参数
| 典型关断延迟时间 | 130 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 25 ns | |
| 典型栅*电荷@Vgs | 43 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1580 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 封装类型 | TO-220，TO-220AB | |
| 尺寸 | 10.1 x 4.7 x 9.4mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 工作温度 | -55 °C | |
| *大功率耗散 | 195000 mW | |
| *大栅源电压 | &plu*n;30 V | |
| *大漏源电压 | 500 V | |
| *大漏源电阻值 | 0.48 Ω | |
| *大连续漏*电流 | 13 A | |
| *高工作温度 | 150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 高度 | 9.4mm |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
