2013+
GE-N-FET锗N沟道
*缘栅(MOSFET)
BSP295
SMD(SO)/表面封装
INFINEON/英飞凌
L/功率放大
N沟道
增强型
SOT-223
N
企业名:陈德民
类型:经销商
电话: 754-84475714
联系人:陈德民
地址:广东汕头广东省汕头市潮南区陈仙路16号
典型关断延迟时间 | 27 ns | |
典型接通延迟时间 | 5.4 ns | |
典型栅*电荷@Vgs | 14 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 295 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 3.5mm | |
封装类型 | SOT-223 | |
尺寸 | 6.5 x 3.5 x 1.6mm | |
引脚数目 | 4 | |
工作温度 | -55 °C | |
*大功率耗散 | 1.8 W | |
*大栅源电压 | &plu*n;20 V | |
*大漏源电压 | 60 V | |
*大漏源电阻值 | 0.3 Ω | |
*大连续漏*电流 | 1.8 A | |
*高工作温度 | 150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 小信号 | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 双漏*、单 | |
长度 | 6.5mm | |
高度 | 1.6mm |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司