SK海力士

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SK海力士在3D DRAM领域实现56%的良率

根据外媒报道,SK海力士正在加速其在通常被称为“梦想记忆”的尖端领域的领先地位,即三维(3D)DRAM。该公司凭借其高带宽内存 (HBM) 已经成为人工智能 (AI) 半导体市...

分类:名企新闻 时间:2024/6/28 阅读:377 关键词:SK海力士

SK海力士3D DRAM,重磅公布

SK海力士正在加速其在被称为“梦幻存储器”的三维(3D)DRAM这一尖端领域的领先地位。该公司已经凭借其高带宽存储器(HBM)在人工智能(AI)半导体市场中处于领先地位,现...

分类:名企新闻 时间:2024/6/25 阅读:456 关键词:SK海力士

SK海力士的信心:“我们的HBM比竞争对手更强”

SK hynix 表示对其高带宽内存(HBM)制造技术充满信心。该公司强调,其专有的HBM比竞争对手的产品要强大得多,这将使其在下一代半导体封装领域保持领先地位。  据6月9日...

分类:行业访谈 时间:2024/6/11 阅读:526 关键词:SK海力士

SK海力士2023年社会价值达5万亿韩元

SK海力士5月27日宣布,去年其创造的社会价值达4.98万亿韩元(约合36.6亿美元)。  该公司表示:“受经济低迷影响,2023 年创造的社会价值与上一年的 7.58 万亿韩元相比下...

分类:名企新闻 时间:2024/5/28 阅读:436 关键词:SK海力士

SK海力士披露:客户预付款,抢购HBM

SK 海力士的监管文件显示,2024 年第一季度客户存款再次大幅增长。  该公司表示,它收到了 561 亿韩元的预付款和 2.7459 万亿韩元的客户负债,或客户存款,其中实体收到...

分类:业界动态 时间:2024/5/20 阅读:184 关键词:SK海力士HBM

消息称SK海力士将为特斯拉代工生产电源管理芯片

SK海力士代工部门启方半导体(SK Key Foundry)将于今年下半年开始为特斯拉生产电源管理(PMIC)芯片。  半导体行业相关人士表示:“SK 启方半导体需要更多资金用于研发...

分类:名企新闻 时间:2024/5/16 阅读:440 关键词:电源管理芯片

SK海力士将“HBM第7代”开发推迟至2026年

SK 海力士计划最早于 2026 年完成第七代高带宽内存 (HBM) 的开发,名为“HBM4E”。高性能内存的代际转换步伐越来越快,在人工智能计算日益被视为至关重要的情况下,高性能...

分类:业界动态 时间:2024/5/15 阅读:288 关键词:SK海力士HBM

三星组百人团队攻HBM,势要击败SK海力士

三星电子成立高带宽存储芯片供应团队,以求与全球人工智能半导体联盟英伟达公司达成近亿美元的合约,并希望借此击败HBM市场领导者SK海力士公司。  约100名优秀工程师组成的工作组一直致力于提高制造良率和质量,解决问题的目标是通过Nv...

分类:业界动态 时间:2024/5/7 阅读:242 关键词:三星

SK海力士:内存全面复苏

韩国 SK 海力士公司公司表示,预计人工智能需求的存储芯片将全面复苏,并在用于生成人工智能芯片组的具有高带宽内存(HBM)的先进 DRAM 芯片销售中实现近两年来的最高利润...

分类:业界动态 时间:2024/4/25 阅读:357 关键词:SK海力士内存

铠侠、西部数据重新启动合并计划;SK海力士坚定反对

据报道,日本 NAND 闪存半导体制造商 Kioxia 正在重新启动与西部数据 (WD) 的合并计划,但 SK 海力士仍然坚决反对。  据《读卖新闻》等业内人士 4 月 18 日的消息称,Kio...

分类:业界动态 时间:2024/4/22 阅读:720 关键词:铠侠西部数据

SK海力士技术

深入剖析SK海力士72层3D NAND

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND,指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。  在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...

新品速递 时间:2018/6/12 阅读:724

拆解SDRAM存储器 三星与SK海力士与众不同

根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元(cell)技术所做的详细比较分析发现,虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限,...

基础电子 时间:2013/6/20 阅读:4722