Infineon-群光电能采用英飞凌CoolGaN G5晶体管，为一线笔记本品牌打造高功率适配器
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布，全球领先的笔记本适配器制造商群光电能已采用其CoolGaN G5晶体管，为核心客户提供多款笔记本适配器。该设计方案展示了氮化镓（GaN...
时间：2026/3/23 阅读：157 关键词：Infineon
ST-意法半导体新MasterGaN功率芯片整合设计灵活性和先进GaN技术
面向消费电子充电器和电源适配器、工业照明电源、太阳能微逆变器 意法半导体推出了MasterGaN系列氮化镓功率开关管半桥的第二代产品MasterGaN6，该功率系统级封装(SiP)在一个封装内集成新的BCD栅极驱动器和导通电阻(RDS(on))仅140mΩ的...
时间：2026/3/20 阅读：33 关键词：ST
融合台积公司工艺技术，在集团内部建立一体化生产体系 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司（TSMC）的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生...
时间：2026/3/17 阅读：42 关键词：ROHM
Infineon-英飞凌发布《2026年GaN技术展望》：技术创新引领功率半导体领域氮化镓高速增长
至2030年，氮化镓（GaN）市场规模预计将达到30亿美元，年复合增长率高达44% 英飞凌高压GaN双向开关采用变革性的共漏极设计与双栅极结构 GaN功率半导体拓展至AI、机器人、量子计算等新兴市场 氮化镓（GaN）电源解决方案的普及正...
时间：2026/3/16 阅读：309 关键词：Infineon
Infineon-英飞凌推出集成式半桥解决方案CoolGaN Drive HB 600 V G5，进一步提升氮化镓的易用性
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN Drive HB 600 V G5产品系列，进一步扩大了其CoolGaN 产品组合。四款新产品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60...
时间：2026/3/12 阅读：70 关键词：Infineon
Infineon-英飞凌XDP混合反激式控制器与CoolGaN技术赋能安克业界领先的160W Prime充电器
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布与领先的快充电源设备制造商安克（Anker）扩大合作，共同开发新一代高速充电器，实现高达160W功率的输出，同时保持紧凑、便携的口袋级尺...
分类：新品快报 时间：2026/2/26 阅读：55138 关键词：Infineon
TI-采用GaN的Cyclo转换器如何帮助优化微型逆变器和便携式电源设计
1.简介 微型逆变器中的功率转换系统通常采用两级式设计，如图1-1所示。 图1-1.微型逆变器两级拓扑 在这种方案中，首先是一个直流/直流级（反激式或推挽式升压级），然后是另一个交流/直流级（自换向交流/直流或图腾柱PFC），将...
时间：2026/2/24 阅读：164 关键词：TI
太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。 其中一项创新涉及使用氮化镓(GaN)。氮化镓正在快速取代硅(Si)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)系统。GaN不仅能提高太阳能...
时间：2026/2/3 阅读：108 关键词：TI
ST-意法半导体扩大VIPerGaN系列高集成度功率转换器产品阵容，新增一款功率QFN封装65W反激转换器
意法半导体VIPerGaN系列转换器新增一款65W反激功率转换器VIPerGaN65W。该系列产品在一个QFN 5x6封装内集成700V GaN晶体管和准谐振PWM控制器芯片。继此前发布的VIPerGaN50W之后，新发布的VIPerGaN65W为客户开发高质量、高性价比的USB-PD充...
时间：2026/2/2 阅读：97 关键词：ST
高能效GaN功率晶体管集成技术，为白色家电和工厂自动化电机驱动器量身定制 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)（纽约证券交易所代码:STM)新推出一款智能功率芯片，帮助家电和工业...
时间：2026/2/2 阅读：105 关键词：ST
在半导体技术飞速发展的今天，GaN HEMT 器件凭借其独特的性能优势，在电子领域展现出了巨大的应用潜力。继上一篇屏蔽栅 MOSFET 技术简介后，我们这次将深入介绍 GaN HEMT 器件的结构、工作模式、应用领域以及面临的挑战。 GaN 半导体...
基础电子 时间：2025/9/3 阅读：482
U8726AHE 氮化镓电源 IC 集成高压 E - GaN 和启动电路优势
随着半导体技术的不断发展，芯片尺寸持续缩小。在这一过程中，一个关键问题逐渐凸显：电场强度会随芯片尺寸的减小而线性增加。若电源电压保持恒定，产生的电场强度极有可能...
设计应用 时间：2025/8/20 阅读：624
基于 TI GaN FET 的 10kW 单相串式逆变器设计方案
随着全球对能源可持续性和能源安全的关注度不断提升，储能系统的需求在住宅太阳能装置等领域呈现出加速增长的态势。在当前市场上，存在功率高达 2kW 且带有集成式储能系统...
技术方案 时间：2025/7/16 阅读：397
纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。 应用背景 近年来，氮化镓...
新品速递 时间：2025/6/4 阅读：1243
例如，典型的交流/直流电动汽车车载充电器（OBC）实施了一个初始的功率因数校正（PFC）阶段和一个后续的 DC/DC 阶段，该阶段由笨重的“DC-link”电容器缓冲。这种拓扑结构...
设计应用 时间：2025/5/23 阅读：863
凭借具有更高功率，较小尺寸和较高效率的清晰趋势，高频LLC谐振转换器是行业中孤立的DC/DC拓扑的有吸引力的解决方案，例如笔记本电脑适配器（> 75W），1KW-3KW数据中心...
设计应用 时间：2025/4/2 阅读：1223
足够的故障检测响应时间约为 2 μs [2]，该时间决定了电源开关所需的短路耐压时间 （SCWT） 额定值（即，在源极和漏极之间施加高电压和高电流的情况下，器件可以承受短路事...
设计应用 时间：2025/4/2 阅读：414
在设计汽车转换器时，尺寸，成本和可靠性是关键因素。为了满足这些标准，最简单的双向拓扑；选择同步的降压/反向提升转换器。最大化能源效率也是至关重要的，在这里，设计...
设计应用 时间：2025/3/26 阅读：737
使用5V门驱动器，可用的最大电阻值为1.2、4.8、8或12MΩ，请参见下表 - 操作最高为125°C。包装是VQFN16，WLCSP22，WLCSP16或WLCSP12。 该公司称，他们“支持移动设备和笔记本电脑中的过电压保护，负载开关和电池管理系统”。 选择...
新品速递 时间：2025/3/19 阅读：479
电动车设计师的目的是使电动汽车更轻，更自动，并且通过提供更多功率，降低系统尺寸并最大程度地减少散热的场所，并使用较小的电池。 通过在电力转换，高频切换和热管理...
设计应用 时间：2025/2/28 阅读：574
