ST-意法半导体推出针对消费类和工业电源转换器和电机控制器优化设计的GaN半桥驱动器
意法半导体推出两款高压GaN半桥栅极驱动器，为开发者带来更高的设计灵活性和更多的功能，提高目标应用的能效和鲁棒性。 STDRIVEG610和STDRIVEG611两款新产品为电源转换和电机控制设计人员提供两种控制GaN功率器件的选择，可以提高消费...
时间：2025/6/13 阅读：21 关键词：ST
当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此，设计人员将氮化镓(GaN)器件用于各种电源转换拓扑。 GaN可实现高频开关，这样可减小无源器件的尺寸，从而增加密度。与硅和碳化硅(SiC)之类的技术相比，GaN还可降低开关、栅极驱动和反向恢...
时间：2025/6/11 阅读：37 关键词：TI
Novosense-纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。 应用背景 近年来，氮化镓高...
时间：2025/6/11 阅读：41 关键词：Novosense
ROHM 首款高耐压 GaN 隔离型栅极驱动器 IC 投入量产
ROHM（总部位于日本京都市）宣布，其首款适用于 600V 级高耐压 GaN HEMT 驱动的隔离型栅极驱动器 IC “BM6GD11BFJ - LB” 开始量产。该产品的推出，为电机和服务器电源等大...
分类：新品快报 时间：2025/5/29 阅读：2841 关键词：ROHM
ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在...
分类：新品快报 时间：2025/5/28 阅读：3546 关键词：ROHM
英飞凌推出650 V CoolGaN G5双向开关，提升功率系统的效率和可靠性
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓（GaN）开关——650 V CoolGaN G5双向开关（BDS）。该产品采用共漏...
分类：新品快报 时间：2025/5/27 阅读：3735 关键词：英飞凌
Infineon-英飞凌推出用于高压应用的EasyPACKCoolGaN功率模块，进一步扩大其氮化镓功率产品组合
随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出EasyPACKCoolGaN650 V晶体管模块，...
时间：2025/5/23 阅读：117 关键词：Infineon
英飞凌推出用于高压应用的EasyPACK CoolGaN 功率模块，进一步扩大其氮化镓功率产品组合
随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码...
分类：新品快报 时间：2025/5/16 阅读：2005 关键词：英飞凌
引言 人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统(BMS)、传感器系统、AI系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。人形机器人内空间受限最大的...
时间：2025/5/6 阅读：93 关键词：TI-GaN FET
Infineon-英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外...
时间：2025/4/29 阅读：132 关键词：Infineon
纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。 应用背景 近年来，氮化镓...
新品速递 时间：2025/6/4 阅读：150
例如，典型的交流/直流电动汽车车载充电器（OBC）实施了一个初始的功率因数校正（PFC）阶段和一个后续的 DC/DC 阶段，该阶段由笨重的“DC-link”电容器缓冲。这种拓扑结构...
设计应用 时间：2025/5/23 阅读：399
凭借具有更高功率，较小尺寸和较高效率的清晰趋势，高频LLC谐振转换器是行业中孤立的DC/DC拓扑的有吸引力的解决方案，例如笔记本电脑适配器（> 75W），1KW-3KW数据中心...
设计应用 时间：2025/4/2 阅读：949
足够的故障检测响应时间约为 2 μs [2]，该时间决定了电源开关所需的短路耐压时间 （SCWT） 额定值（即，在源极和漏极之间施加高电压和高电流的情况下，器件可以承受短路事...
设计应用 时间：2025/4/2 阅读：287
在设计汽车转换器时，尺寸，成本和可靠性是关键因素。为了满足这些标准，最简单的双向拓扑；选择同步的降压/反向提升转换器。最大化能源效率也是至关重要的，在这里，设计...
设计应用 时间：2025/3/26 阅读：610
使用5V门驱动器，可用的最大电阻值为1.2、4.8、8或12MΩ，请参见下表 - 操作最高为125°C。包装是VQFN16，WLCSP22，WLCSP16或WLCSP12。 该公司称，他们“支持移动设备和笔记本电脑中的过电压保护，负载开关和电池管理系统”。 选择...
新品速递 时间：2025/3/19 阅读：319
电动车设计师的目的是使电动汽车更轻，更自动，并且通过提供更多功率，降低系统尺寸并最大程度地减少散热的场所，并使用较小的电池。 通过在电力转换，高频切换和热管理...
设计应用 时间：2025/2/28 阅读：338
由于GAN的高开关速度，寄生电感 与老化功率MOSFET相比，在较高的频率下使用GAN的能力使寄生电感在功率转化电路中的降解作用焦点[1]。这种电感阻碍了GAN额外的开关功能的...
设计应用 时间：2025/2/25 阅读：372
步骤 1 – 栅极驱动器选择 驱动 GaN 增强型高电子迁移率晶体管 (E-HEMT) 的栅极与驱动硅 (Si) MOSFET 的栅极有相似之处，但也有一些有益的区别。 驱动 GaN E-HEMT 并...
设计应用 时间：2025/1/6 阅读：462
第一代 AI PSU：采用相同架构，功率更高，约 5.5–8 kW，50 V输出，277 V交流，单相 目前的AI服务器PSU大多遵循ORv3-HPR标准。在该标准中，大多数规格，包括输入和输出...
设计应用 时间：2025/1/2 阅读：435
