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三星电子4纳米工艺良率接近台积电

三星电子的 4 纳米制程良率目前已非常接近业界龙头台积电。 Revegnus表示,三星电子的良率恢复速度快于预期,而台积电的3纳米制程良率目前为63%或更低。 三星电子有...

分类:名企新闻 时间:2023/4/18 阅读:364 关键词:三星4纳米

台积电在美建厂计划在明年量产4纳米 ,高通将成为首批客户

根据台媒报道,台积电的亚利桑那州新工厂将在2024年生产第一代的工艺,高通将承诺下第一批的订单。 根据此前消息,台积电在美国的亚利桑那州工厂由于工程和设备安装进度...

分类:名企新闻 时间:2023/3/20 阅读:353 关键词:台积电4纳米

台积电将在美国亚利桑那州新工厂生产4纳米芯片

根据了解台积电将在美国亚利桑那州新工厂生产4纳米芯片,该工厂耗资120亿美元,将在2024年投产。

分类:名企新闻 时间:2022/12/3 阅读:470 关键词:台积电

三星预计2027年量产1.4纳米制程

在近日举行的三星晶圆代工论坛上,三星电子代工业务总裁Si-youngChoi在主旨演讲中透露,三星将在2025年实现2nm制程的规模化量产,2027年实现1.4nm规模量产。 今年6月30日...

分类:名企新闻 时间:2022/10/9 阅读:640

苹果M2处理器将采用台积电4纳米

工商时报报道称,根据供应链消息,苹果M2处理器开发已近完成,将采用台积电4nm制程,未来苹果芯片将以每18个月为周期进行升级。 距离苹果自研ARM架构芯片的两年计...

分类:业界动态 时间:2021/12/24 阅读:2155

联发科发布世界首颗采用台积电4纳米工艺5G芯片

联发科发布新一代旗航级智能手机芯片——天玑9000。这也是世界首颗采用台积电4nm工艺的智能手机芯片。每年年底至次年年初是各手机芯片巨头发布新品的密集期,联发科天玑900...

分类:名企新闻 时间:2021/11/22 阅读:4275

三星正式量产基于EUV技术的14纳米DDR5 DRAM芯片

今日,三星宣布已开始量产基于极紫外光(EUV)技术的14纳米DRAM芯片。继去年3月推出首款EUVDRAM后,此次三星将使用EUV的层数增加至5层,为其DDR5解决方案提供当下更为优质、...

分类:名企新闻 时间:2021/10/13 阅读:1333

中芯国际14纳米及以上成熟工艺设备获美供应许可

有报道称,美国商务部、国防部、能源部和国务院四部委,已批准美国领先设备厂商,对中芯国际供应14纳米及以上(14纳米及28等成熟工艺)设备的供应许可。不仅如此,此前中芯...

分类:业界动态 时间:2021/3/3 阅读:4802

高通推出全新5G基带骁龙X65:4纳米工艺,速率高达10Gbps

2月9日,高通技术公司发布了第4代5G调制解调器到天线的解决方案——骁龙X65和骁龙X62。 据了解,骁龙X65采用4纳米制程工艺,是全球首个支持10Gbps5G速率和首个符合...

分类:名企新闻 时间:2021/2/22 阅读:2878

英特尔Rocket Lake-S桌面处理器明年一季度发布:14纳米绝唱

消息人士称,英特尔将在2021年2月份Rocket Lake-S台式机处理器,主要面向游戏发烧友市场。这将会是英特尔14nm处理器的 一代产品。但与之前的产品不同,它将采用新的 架构:Sunny或Willow Cove也可能是两者之间的混合体。  Rocket Lak...

分类:新品快报 时间:2020/9/7 阅读:1773 关键词:英特尔14纳米

4纳米技术

英特尔推出14纳米32 Gbps高速串行解串器

新闻要点●基于之前已经开发于14纳米制程上的具有功耗、性能、面积的领先性的1至16GbpsGP串行解串器●运行范围扩大到1至32Gbps,同时全面支持28Gbps常见通用电气接口(CEI)长距离规范●为有着业内最广泛的速率范围的串行解串器标准提供了

新品速递 时间:2014/12/2 阅读:1188

Micron推出新型34纳米高密度NAND产品降低芯片尺寸

美光科技有限公司(宣布使用其屡获殊荣的34纳米工艺技术大规模生产新型NAND闪存产品。随着消费者需要更高的容量以便在越来越小的便携式电子设备中存储更多的音乐、视频、照片及应用程序,制造商需要一种存储解决方案,以实现所需的容量、...

新品速递 时间:2009/7/7 阅读:2008

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