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当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此，设计人员将氮化镓(GaN)器件用于各种电源转换拓扑。　　GaN可实现高频开关，这样可减小无源器件的尺寸，从而增加密度。与硅和碳化硅(SiC)之类的技术相比，GaN还可降低开关、栅极驱动和反向恢...

时间：2025/6/11 阅读：79 关键词：TI

ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN产品GaN HEMT，被先进的日本电子元器件、电池和电源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI（人工智能）服务器电源采用。罗姆的GaN HEMT具有低损耗工作和高速开关性...

时间：2025/3/18 阅读：128 关键词：罗姆

电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其CoolSiC MOSFET 650 V单管...

时间：2025/2/28 阅读：163 关键词：英飞凌

ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越...

时间：2025/2/25 阅读：111 关键词：ROHM

ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特...

分类：新品快报时间：2025/2/18 阅读：416 关键词：ROHM

在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用...

时间：2024/8/20 阅读：115 关键词：半导体

第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其最新的...

分类：新品快报时间：2024/8/14 阅读：406 关键词：MOSFETs

电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产...

分类：新品快报时间：2024/6/14 阅读：545 关键词：英飞凌

SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型(Normally-Off D-Mode)平台优势，此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量　新世代电力系...

分类：新品快报时间：2023/11/7 阅读：254 关键词：Transphorm

全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。这也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs...

分类：新品快报时间：2023/4/17 阅读：218 关键词： FETs

Tollgrade通信有限公司（Tollgrade Communications, Inc.）与领特公司（Lantiq）日前宣布：两家公司已结为联盟，为宽带运营商推出业界的、无缝的、标准化的下一代网络（NGN...

新品速递时间：2014/11/4 阅读：1123

意法半导体(ST)和恩智浦半导体(NXP)日前宣布携手另外两家公司TrustedLogic和Stollmann共同开发与硬件无关的通用型NFCAPI接口，用于手机及其他Android运行设备的NFC应用。四家公司将针对各自近期发布的AndroidA

新品速递时间：2010/6/4 阅读：2608