英飞凌高功率碳化硅技术升级优化助力Electreon动态无线充电道路系统升级
动态无线充电道路系统可在客车与卡车行驶于道路及高速公路上时为其充电 英飞凌定制碳化硅模块可大幅提高功率密度，使电动汽车搭载更小的电池，实现24小时全天候运行 动态无线充电道路系统解决方案是减少交通运输领域碳排放的一项关...
时间：2026/1/30 阅读：116 关键词：英飞凌
"未来广汽的汽车芯片中，至少一半会由格力产品替代！"格力电器董事长董明珠这句对广汽集团董事长冯兴亚的轻松调侃，背后是格力在半导体领域布局三年的厚积薄发。1月20日大湾区化合物半导体生态应用大会上，格力电器总裁助理冯尹正式宣布...
分类：业界动态 时间：2026/1/20 阅读：6150
X-FAB XbloX平台加速可扩展、高性能碳化硅 MOSFET解决方案上市进程
当前，汽车、工业、能源及数据中心等领域正积极开展下一代碳化硅功率 MOSFET 的设计与开发，对于无晶圆厂开发者而言，此时与能缩短产品上市时间的代工厂合作，无疑是最佳时机。 XbloX 宽禁带（WBG）半导体分立器件代工模式所采用的标...
分类：新品快报 时间：2025/12/5 阅读：109304
禾望电气选择Wolfspeed，凭借先进的碳化硅技术助力风能未来
此次合作助力禾望电气推出风电行业首个全碳化硅功率柜 创新型碳化硅功率解决方案的全球引领者Wolfspeed公司（纽约证券交易所代码：WOLF）今日宣布与全球可再生能源解决方案创新者深圳市禾望电气股份有限公司（禾望电气，Hopewind）达...
时间：2025/12/2 阅读：132 关键词：禾望电气
Infineon-英飞凌推出采用全新EasyPACK C封装的碳化硅功率模块，助力提升工业应用的能效与使用寿命
工业领域中的快速直流电动汽车（EV）充电、兆瓦级充电、储能系统，以及不间断电源设备，往往需要在严苛环境条件与波动负载的运行模式下工作。这些应用对高能效、稳定的功率循环能力以及较长的使用寿命有着极高的要求。为满足这些需求，全...
分类：新品快报 时间：2025/11/12 阅读：25080 关键词：Infineon
SK Keyfoundry加速布局碳化硅赛道 剑指全球功率半导体市场
韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Keyfoundry近日宣布加速推进碳化硅(SiC)功率半导体技术开发，通过战略收购与技术整合，计划在2026年上半年启动代工业务，抢占全球高压高效半导体应用市场先机。 这一战略布局始于对本土碳化硅领域标杆企业SK ...
分类：业界动态 时间：2025/11/12 阅读：10591
Wolfspeed宣布200 mm碳化硅材料产品组合开启大规模商用，推动行业实现规模化量产
全球碳化硅（SiC）技术引领者Wolfspeed公司（美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）宣布，Wolfspeed 200 mm碳化硅材料产品开启大规模商用。这一重要里程碑标志着Wolfspeed加速行业从硅向碳化硅转型的使命迈出关键一步。先前在初步向部分客...
时间：2025/9/16 阅读：318 关键词：Wolfspeed
小鹏汽车与芯联集成联合宣布，国内首个混合碳化硅产品已实现量产。这为新能源汽车的性能提升和降低成本开辟了新路径。据了解，这款混合碳化硅产品由小鹏汽车设计开发、芯联集成联合开发并量产落地。在本次混合碳化硅项目中，芯联集成负责...
分类：业界动态 时间：2025/8/26 阅读：336 关键词：碳化硅
近日，半导体领域传来令人振奋的消息，深圳平湖实验室在 GaN/SiC 集成领域取得了突破性进展。该实验室成功在国际上首次研制出商用 8 英寸 4° 倾角 4H - SiC 衬底上的高质量 AlGaN/GaN 异质结构外延，这一成果意义非凡，为大尺寸、高质量...
分类：业界动态 时间：2025/8/15 阅读：2642 关键词：氮化镓
CoolSiC1200V肖特基二极管采用TO-247-2封装，可实现高效紧凑设计，具有增强的鲁棒性和可靠性。该产品通过了雪崩测试验证，电流等级高达150A，采用.XT扩散焊技术，拥有丰富...
分类：新品快报 时间：2025/8/8 阅读：2649 关键词：Microchip
在当今的电子应用领域，碳化硅器件已经在多个方面取得了商业上的成功。碳化硅 MOSFET 已被证实是硅 IGBT 在太阳能、储能系统、电动汽车充电器和电动汽车等领域的可行商业替...
设计应用 时间：2025/9/1 阅读：1340
碳化硅 MOSFET 更是被证实为硅 IGBT 在太阳能、储能系统、电动汽车充电器和电动汽车等领域的商业可行替代品。在这些应用中，效率的提升以及滤波器尺寸的减小，足以抵消半导体材料成本的增加。而随着全球能源成本的上升，以及关于电流谐波...
基础电子 时间：2025/8/29 阅读：976
随着PFC拓扑中采用SiC 肖特基二极管，旁路二极管被用来限制通过 SiC 二极管的正向电流，以防浪涌电流影响电源干线。图 1 说明了旁路二极管通常如何在经典 PFC 中实现。仅当...
设计应用 时间：2025/1/16 阅读：1294
为什么 SiC 功率芯片更小？ 功率芯片的大小直接由单位面积的导通电阻决定，而导通电阻主要由作为功能层的外延层的电阻主导。为了最小化器件的导通电阻，必须增加外延层...
设计应用 时间：2024/10/22 阅读：617
从理论上讲，碳化硅 (SiC) 技术比硅 (Si) 具有优势，这使得它看起来可以作为电力电子中现有 MOSFET 的直接替代品。这在一定程度上是正确的，但只要关注该技术与硅的不同之...
设计应用 时间：2024/6/19 阅读：729
本文将阐述系统能效的重要性，并简要说明 SiC 栅极驱动器的选择标准，包括 SiC 功耗、SiC 导通和关断基本原理以及如何减少开关损耗。此外，我们将介绍首款集成负偏压的 3.75 kV 栅极驱动器 NCP(V)51752。 能效提升，毫厘必争 当谈...
基础电子 时间：2024/5/29 阅读：391
在设计电源转换器时，碳化硅 (SiC)等宽带隙 (WBG) 技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V SiC MOSFET 的推出使其对于以前未考虑过的应用更具吸引力。 它们在高效硬...
设计应用 时间：2024/3/20 阅读：728
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于高温、高压、高频电子器件和材料领域的化合物材料。它由硅和碳元素组成，具有许多优异的特性，包括： 高熔点和高热稳定性： 碳化硅具有非常高的熔点，能够在极高温度下保持稳定性，适...
基础电子 时间：2024/2/27 阅读：613
Microchip - 碳化硅电子熔丝演示器为设计人员提供电动汽车电路保护解决方案
早在十多年前，电动汽车就已经引入400V电池系统，现在我们看到行业正在向800V系统迁移，主要是为了支持直流快速充电。随着电压的提高和从400V系统中学到的经验教训，设计人...
技术方案 时间：2024/1/4 阅读：1214
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能领先地位，并扩大了其突破性...
设计应用 时间：2023/7/21 阅读：832
