Wolfspeed新推出两款3.3 kV碳化硅功率模块系列，助力应对能源需求的激增
一项战略性布局决策，旨在推动从发电、储能到转换与配电的整个能源生命周期实现范式转变。 基于新型碳化硅MOSFET的模块系列，采用两种行业标准封装，为工程师提供了实现能源基础设施现代化、开启人工智能与电气化全部潜力的重要工具。...
时间：2026/5/28 阅读：68 关键词：Wolfspeed
onsemi-碳化硅赋能浪潮教程：SiC JFET驱动工业与服务器电源革新
摘要 碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。本文为第一部分，将重...
时间：2026/5/27 阅读：62 关键词：onsemi
Wolfspeed 新推出两款 3.3 kV 碳化硅功率模块系列，助力应对能源需求的激增
Wolfspeed, Inc. 公司（纽约证券交易所代码：WOLF）推出了两款全新的 3.3 kV 碳化硅（SiC）功率模块系列 — 采用行业标准封装的高功率半桥带基板模块，以及可扩展的全桥无...
分类：新品快报 时间：2026/5/26 阅读：13873 关键词：碳化硅功率模块
Infineon-英飞凌携手思格新能源，碳化硅器件助力户用光储
近日，英飞凌科技与思格新能源（上海）股份有限公司正式宣布深化合作，双方将基于英飞凌最新一代1200V CoolSiC MOSFET G2碳化硅分立器件技术，共同为思格新能源户用光伏储能逆变器解决方案提供核心性能支撑，以技术创新驱动户用光储领域...
时间：2026/5/22 阅读：80 关键词：Infineon
Infineon-英飞凌推出首款带光耦仿真器输入的隔离栅极驱动器IC，支持新一代碳化硅应用
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出EiceDRIVER 1ED301xMC12I产品系列，这是一系列支持光耦仿真器输入的高性能隔离栅极驱动器IC。该系列器件与现有光耦仿真器和光耦合器引脚...
分类：新品快报 时间：2026/3/17 阅读：65601 关键词：Infineon
Infineon-英飞凌碳化硅功率半导体成功应用于丰田“bZ4X”新车型
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布，全球最大汽车制造商丰田已在其新款车型bZ4X中采用了英飞凌的CoolSiC MOSFET（碳化硅功率MOSFET）产品。这款碳化硅MOSFET集成在车载充电器（OBC）和DC/DC转换器中，利用碳...
时间：2026/3/11 阅读：101 关键词：Infineon
禾望电气选择 Wolfspeed，凭借先进的碳化硅技术助力风能未来
此次合作助力禾望电气推出风电行业首个全碳化硅功率柜 创新型碳化硅功率解决方案的全球引领者Wolfspeed公司（纽约证券交易所代码：WOLF）今日宣布与全球可再生能源解决方案创新者深圳市禾望电气股份有限公司（禾望电气，Hopewind）达...
时间：2026/2/26 阅读：197 关键词：Wolfspeed
英飞凌高功率碳化硅技术升级优化助力Electreon动态无线充电道路系统升级
动态无线充电道路系统可在客车与卡车行驶于道路及高速公路上时为其充电 英飞凌定制碳化硅模块可大幅提高功率密度，使电动汽车搭载更小的电池，实现24小时全天候运行 动态无线充电道路系统解决方案是减少交通运输领域碳排放的一项关...
时间：2026/1/30 阅读：192 关键词：英飞凌
"未来广汽的汽车芯片中，至少一半会由格力产品替代！"格力电器董事长董明珠这句对广汽集团董事长冯兴亚的轻松调侃，背后是格力在半导体领域布局三年的厚积薄发。1月20日大湾区化合物半导体生态应用大会上，格力电器总裁助理冯尹正式宣布...
分类：业界动态 时间：2026/1/20 阅读：6393
X-FAB XbloX平台加速可扩展、高性能碳化硅 MOSFET解决方案上市进程
当前，汽车、工业、能源及数据中心等领域正积极开展下一代碳化硅功率 MOSFET 的设计与开发，对于无晶圆厂开发者而言，此时与能缩短产品上市时间的代工厂合作，无疑是最佳时机。 XbloX 宽禁带（WBG）半导体分立器件代工模式所采用的标...
分类：新品快报 时间：2025/12/5 阅读：109698
在当今的电子应用领域，碳化硅器件已经在多个方面取得了商业上的成功。碳化硅 MOSFET 已被证实是硅 IGBT 在太阳能、储能系统、电动汽车充电器和电动汽车等领域的可行商业替...
设计应用 时间：2025/9/1 阅读：1448
碳化硅 MOSFET 更是被证实为硅 IGBT 在太阳能、储能系统、电动汽车充电器和电动汽车等领域的商业可行替代品。在这些应用中，效率的提升以及滤波器尺寸的减小，足以抵消半导体材料成本的增加。而随着全球能源成本的上升，以及关于电流谐波...
基础电子 时间：2025/8/29 阅读：1035
随着PFC拓扑中采用SiC 肖特基二极管，旁路二极管被用来限制通过 SiC 二极管的正向电流，以防浪涌电流影响电源干线。图 1 说明了旁路二极管通常如何在经典 PFC 中实现。仅当...
设计应用 时间：2025/1/16 阅读：1395
为什么 SiC 功率芯片更小？ 功率芯片的大小直接由单位面积的导通电阻决定，而导通电阻主要由作为功能层的外延层的电阻主导。为了最小化器件的导通电阻，必须增加外延层...
设计应用 时间：2024/10/22 阅读：695
从理论上讲，碳化硅 (SiC) 技术比硅 (Si) 具有优势，这使得它看起来可以作为电力电子中现有 MOSFET 的直接替代品。这在一定程度上是正确的，但只要关注该技术与硅的不同之...
设计应用 时间：2024/6/19 阅读：787
本文将阐述系统能效的重要性，并简要说明 SiC 栅极驱动器的选择标准，包括 SiC 功耗、SiC 导通和关断基本原理以及如何减少开关损耗。此外，我们将介绍首款集成负偏压的 3.75 kV 栅极驱动器 NCP(V)51752。 能效提升，毫厘必争 当谈...
基础电子 时间：2024/5/29 阅读：443
在设计电源转换器时，碳化硅 (SiC)等宽带隙 (WBG) 技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V SiC MOSFET 的推出使其对于以前未考虑过的应用更具吸引力。 它们在高效硬...
设计应用 时间：2024/3/20 阅读：779
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于高温、高压、高频电子器件和材料领域的化合物材料。它由硅和碳元素组成，具有许多优异的特性，包括： 高熔点和高热稳定性： 碳化硅具有非常高的熔点，能够在极高温度下保持稳定性，适...
基础电子 时间：2024/2/27 阅读：683
Microchip - 碳化硅电子熔丝演示器为设计人员提供电动汽车电路保护解决方案
早在十多年前，电动汽车就已经引入400V电池系统，现在我们看到行业正在向800V系统迁移，主要是为了支持直流快速充电。随着电压的提高和从400V系统中学到的经验教训，设计人...
技术方案 时间：2024/1/4 阅读：1251
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能领先地位，并扩大了其突破性...
设计应用 时间：2023/7/21 阅读：882
