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SK海力士美国先进封装厂动工,2029年下半年量产“美国制造”HBM4E

在人工智能产业蓬勃发展的大背景下,SK 海力士在美国印第安纳州西拉法叶普渡大学举行了一场具有重要意义的奠基仪式,其面向 AI 的存储器先进封装生产基地正式动工。该基地...

分类:名企新闻 时间:2026/8/28 阅读:7090 关键词:SK海力士

SK 海力士 Q2 财报核心指标创新高但低于预期,HBM4 量产交付

今日,全球第二大存储芯片制造商 SK 海力士公布了 2026 年第二季度财报。财报数据显示,该公司在本季度取得了颇为出色的财务表现。营业利润同比大幅增长 557%,高达 60.5 ...

分类:名企新闻 时间:2026/7/29 阅读:2583 关键词:SK 海力士

三星确认HBM5采用2nm GAA工艺,速度较HBM4E提升逾50%

三星半导体官方新闻室发布对代工事业部技术开发室负责人、副社长Koo Ja-heun的专访,首次系统披露了下一代高带宽内存HBM5的核心技术路线图。这是三星迄今为止对HBM5技术规...

分类:名企新闻 时间:2026/7/28 阅读:3496 关键词:三星

SK海力士官宣:HBM4E送样

SK海力士已向主要客户交付了12层高的第七代高带宽内存(HBM4E)样品。继三星电子上月宣布交付12层高的HBM4E样品后,SK海力士也开始交付样品,这标志着下一代人工智能内存芯...

分类:业界动态 时间:2026/6/18 阅读:10866 关键词:SK海力士HBM4E

三星电子加速布局HBM4E内存,5月将产首批性能样品

三星电子在高端内存市场的步伐正在加快。据韩媒ChosunBiz最新报道,这家韩国科技巨头计划在今年5月生产首批符合英伟达标准的HBM4E内存性能样品,为其2027-2028年的量产供应奠定基础。这一动作被视为三星在人工智能内存领域巩固优势的关键...

分类:业界动态 时间:2026/4/16 阅读:9009

三星电子豪购20台EUV光刻机 加速1c DRAM与HBM4产能布局

全球半导体巨头三星电子近日宣布向ASML订购约20台极紫外(EUV)光刻机,总价值高达34亿美元,展现出其在先进制程领域的雄心壮志。这批设备将主要用于提升10纳米级第六代DRAM...

分类:业界要闻 时间:2026/4/7 阅读:38824

三星联手AMD抢滩HBM4市场,晶圆代工暗战或将重塑AI芯片格局

当英伟达在GTC大会上风光无限之际,AMD与三星悄然签下一纸战略协议。这不仅关乎两家巨头的未来布局,更可能撼动整个AI芯片市场的权力平衡。三星电子与AMD日前联合宣布,双方已就人工智能基础设施内存芯片供应达成战略合作。根据协议,三...

分类:业界动态 时间:2026/3/19 阅读:7404

三星电子:2026年出货由HBM4主导 HBM5将采用2nm制程

三星电子正加速推进高带宽内存(HBM)技术的迭代升级。2026年,HBM4将成为三星出货主力,预计占全年HBM总出货量的50%以上。与此同时,三星已启动下一代HBM5的研发,其基片...

分类:业界要闻 时间:2026/3/19 阅读:44100

美光HBM4内存量产:专为英伟达Vera Rubin平台打造,带宽超2.8TB/s

美光科技日前宣布,其HBM4内存产线已正式进入量产阶段,首批产品为36GB容量的12层堆叠版本,专为英伟达Vera Rubin平台优化设计。这一突破性产品引脚速率超过11Gb/s,可提供...

分类:业界动态 时间:2026/3/17 阅读:2901

为满足英伟达需求,三星、SK海力士被曝抢在测试完成前量产HBM4

在AI算力竞赛白热化的背景下,半导体行业正上演一场前所未有的供应链变革。据最新消息,三星电子与SK海力士为配合英伟达AI加速器的时间表,打破行业常规,在HBM4内存芯片尚...

分类:业界动态 时间:2026/2/3 阅读:6064