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三星本月拟向 AMD、英伟达供 HBM4 样品,挑战 SK 海力士市场地位

据韩媒《亚洲日报》报道,三星正积极筹备,计划在本月底之前向 AMD、英伟达等行业巨头提供 HBM4 样品。这一举动预示着存储芯片市场将迎来一场新的竞争风暴。  回顾过往,三星在 HBM(高带宽内存)市场的发展历程可谓充满挑战。在 HBM3 ...

分类:业界动态 时间:2025/7/22 阅读:236 关键词:三星 SK 海力士

三星副会长赴美,与英伟达商洽 HBM3E 供货及 HBM4 方向

据韩媒 news1 披露,三星电子 DS(半导体)部门主管、公司副会长全永贤近期前往美国,与芯片巨头英伟达展开了一系列重要洽谈,主要围绕 HBM3E 12 层产品供应及代工业务,旨...

分类:名企新闻 时间:2025/7/7 阅读:237 关键词:三星英伟达

美光出样 HBM4 36GB 12Hi 内存,加速 AI 内存市场竞争

在人工智能计算时代,高带宽内存(HBM)作为一种高价值、高性能的产品,在数据处理领域扮演着举足轻重的角色。近期,HBM4 的发展取得了新的进展,各大半导体企业纷纷布局,...

分类:业界动态 时间:2025/6/12 阅读:244 关键词:美光 AI 内存

HBM4,变贵了

三星电子和SK海力士计划在今年下半年量产的下一代高带宽存储器(HBM),其生产成本将大幅上升。这主要受到核心裸晶(core die)尺寸增加导致单位晶圆可产芯片数(net die)...

分类:业界动态 时间:2025/6/11 阅读:591 关键词:HBM4

I/O 翻倍冲击 HBM4 DRAM Die 面积,初期 12Hi 堆栈售价逾 600 美元

据韩媒 the bell 当地时间昨日报道,HBM4 内存的 I/O 数量相较于此前产品实现了翻倍,达到 2048。这一变化对 SK 海力士和美光产生了显著影响,由于他们在 HBM4 DRAM 上沿用...

分类:业界动态 时间:2025/6/11 阅读:184 关键词:DRAM

三星豪投 HBM4,借 1c DRAM 挑战 SK 海力士市场霸主

近日,有消息传出,三星正通过激进投资策略,试图缩小与 SK 海力士在 HBM4 市场的差距,挑战其霸主地位。  科技媒体 ZDNet Korea 于 5 月 22 日报道,三星计划在韩国华城...

分类:业界动态 时间:2025/5/23 阅读:243 关键词:三星DRAM

HBM4,好在哪里?

JEDEC 近期发布的 HBM4 规范对 AI 训练硬件开发者来说是个好消息。HBM4 是快速发展的高带宽内存 (HBM) DRAM 标准的最新规范,据 JEDEC 称,HBM4 可提供 2TB/s 的内存性能和...

分类:业界动态 时间:2025/4/25 阅读:682 关键词:HBM4

SK海力士首次独家向英伟达提供12层HBM4样品

SK海力士19日宣布,推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4,并且全球首次向主要客户提供了其样品。  综合多家媒体和分析机构的消息,这里所指的“主要客户”,就是NVID...

分类:名企新闻 时间:2025/3/20 阅读:488 关键词:SK海力士

Rambus宣布推出业界首款HBM4控制器IP,加速下一代AI工作负载

·基于一百多项HBM成功设计案例,确保芯片一次流片成功  ·在低延迟下提供超过HBM3两倍的吞吐量,满足生成式AI和高性能计算(HPC)工作负载的需求  ·扩展了业界领先的高性能内存解决方案的半导体IP产品组合  图1:Rambus HBM4控制...

时间:2024/11/26 阅读:89 关键词:HBM4控制器IP

消息称特斯拉已要求SK海力士和三星提供HBM4芯片样品

特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4(第六代高带宽存储器)的采购意向,并要求这两家公司提供通用HBM4芯片样品。特斯拉预计将在对比三星电子和SK海力士的样品性能之后,确...

分类:业界动态 时间:2024/11/21 阅读:399 关键词:特斯拉SK海力士