供应英飞凌IGBT模块BSM400GA120DN2S_E3256

型号/规格：
BSM400GA120DN2S_E3256
品牌/商标：
SEMIKRON（西门康）
环保类别：
无铅环保型

京诚宏泰科技【原装】供应英飞凌IGBT模块BSM400GA120DN2S_E3256 【现货优势】【原装】供应英飞凌IGBT模块BSM400GA120DN2S_E3256 【现货优势】 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。 IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。型号（ 1U 1200V ）技术指标型号 (1U 1700V) 技术指标 BSM200GA120DN2 200A/1200V/1U BSM200GA170DN2 200A/1700V/1U BSM300GA120DN2 300A/1200V/1U BSM300GA170DN2 300A/1700V/1U BSM400GA120DN2 400A/1200V/1U BSM400GA170DLC 400A/1700V/1U BSM200GA120DLC 200A/1200V/1U BSM200GA170DLC 200A/1700V/1U BSM300GA120DLC 300A/1200V/1U BSM300GA170DLC 300A/1700V/1U BSM400GA120DLC 400A/1200V/1U 型号2U/600/1200/1700V ）技

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