性能特点 采用第6代IGBT硅片CSTBT技术，缩窄沟槽间距，改善了改善VCEsat– Eoff折衷曲线，损耗低 二极管采用第6代LPT硅片技术，正向导通压降低，改善VF和Err的折衷曲线 硅片结温可达175°C 硅片运行温度可达150°C 内部集成NTC测温电阻 全系列共享同一封装平台，并于竞争对第6代NX系列IGBT模块产品一览(1700V) 电流 NX-M NX-L CIB 7单元 6单元 2单元 2单元 50 CM50RX-34S CM50TX-34S 75 CM75RX-34S CM75TX-34S 100 CM100TX-34S 150 CM150DX-34S 200 CM200DX-34S 300 CM300DX-34S 400 CM400DXL-34S 600 CM600DXL-34S 手对应型号兼容
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