第5代L1系列IPM的详细介绍 L1系列IPM通过采用低功耗IGBT减少了噪声的产生,实现了高性能和环保的两者兼顾。另外,由于同系列IPM 600V/1200V产品封装相同,从而也有助于实现装置的小型化。 由于采用CSTBTTM,实现了低功耗。影响噪声产生的输出电流在小电流范围内时放慢开关速度,以此降低IPM 放射噪声。因此不需要噪声滤波器,使得装置的小型化和高性能化成为可能。 小型・新封装 ◆ 50~150A/600V, 25~75A/1200V的模块开发了新的小型封装。~75A的模块,除了主端子是螺丝型的模 块外,还有一部分节省空间的针型引脚的模块产品线。 ◆ 450~600A/600V, 200~450A/1200V容量级的模块次开发出内含6单元IGBT的小型封装。 ◆ 200~300A/600V, 100~150A/1200V在开发了新封装的同时,也实现了与原来的S-DASH系列的兼容。 低功耗 ◆ 采用了第5代1μm IGBT硅片(CSTBTTM),降低了功耗,可以减小了散热器的体积。 缩短了项目开发周期 ◆ 内置IGBT的栅极驱动电路。 控制电源只需+15V(不需要反向偏压电源),简化了周边电路的设计。 实现了控制电路CMOS化,降低了控制电路的电力功耗。 ◆ 内置故障检测和保护电路(短路过电流、过温、控制电源欠压)。 这样就减少了原来的
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