性能特点 的CSTBTTM硅片技术带来： 杰出的短路特性 - 降低了栅极电容 -VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能，总体损耗低 新的紧凑型封装，方便用户结构设计 良好的芯片布局，方便冷却 多孔型端子使得母排与模块接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接 端子孔径与安装定位孔径一致 不同高度的DC端子――直接连接层压式母线排 应用领域 大电机驱动，太阳能光伏，风力发电，大功率UPS等 封装尺寸 150mm × 131mmMPD series 电路拓扑 VCES(V) Ic(A) 900 1单元 1200 CM900DUC-24NF (503KB) CM1400DUC-24NF (510KB) 1700 CM1000DUC-34NF (504KB)
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