mos-1
申达电子
产地:自产 型号:MOS-1 一、概述 MOS-1型功率场效应管测试仪，是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置，可用于标称 电流约在2-85A，功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压 VDSS、栅*开启电压VGS（th）和放大特性参数跨导Gfs，尤其是跨导Gfs的测试电流可以*50A，由于采 用脉冲电流测试法，即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏，更可以在大电流状态下对场效 应管进行参数一致性的测试（配对）；仪器*可用于同等电流等级的IGBT参数的测量；仪器还是一台性 能十分*的电子元器件耐压测试装置，其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器 主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型 测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用*方便。 二、主要技术性能 1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， ：≤2.5% 。 2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。 3、栅*开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 ：≤5% 。 4、Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50 A连续可调， ：≤10 % 。 5
