酷MOS管 NCE(新洁能）NCE60R540K 贴片(完美替代英飞凌(7N60）

封装外形：
SMD(SO)/表面封装
型号/规格：
NCE60R540K
材料：
GE-N-FET锗N沟道
用途：
L/功率放大
品牌/商标：
NCE
沟道类型：
N沟道
种类：
绝缘栅(MOSFET)
导电方式：
增强型

1、*结工艺之MOSFET，耐压*650V以上，ID=8A，内阻远远低于市场上平面工艺之MOSFET，540毫欧（平面工艺为1.2欧姆）。 2, 8安培，600V或650V高压MOS管，酷MOS供应。*适配器，*LED灯电源之热门。 3、在25W电源上应用，直接替代普通7N60，MOSFET发热量降低30摄氏度以上，效率*1%！ 4、省去普通MOSFET加散热片的麻烦！生产效率*！无锡新洁能功率半导体有限公司是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业，是中*研发成功并上量销售大功率-*结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，紧密结合自身器件与工艺设计技术的优势，与国际*的芯片*厂、封装、测试*厂保持密切配合与合作，严谨产品质量控制，*产品的持续优质和稳定供货。General DescriptionThe series of devices use advanced * junctiontechnology and design to provide excellent RDS(ON) with lowgate charge. This * junction MOSFET fits the industry’sAC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC powerconversion, and industrial power applications.Features●New technology for high voltage device●Low on-resistance and low conduction lo

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