NCE代理原装低压MOS，NCE6020，现货供应

封装外形：
SMD(SO)/表面封装
型号/规格：
NCE6020
材料：
GE-N-FET锗N沟道
用途：
L/功率放大
品牌/商标：
NCE
沟道类型：
N沟道
种类：
绝缘栅(MOSFET)
导电方式：
增强型

DescriptionThe NCE6020I uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. Itcan be used in a wide variety of applications.Genera Features● V =60V,I =20A DS D RDS(ON) <44m? @ VGS=10V ● High density cell design for ultra low Rdson● Fully characterized avalanche voltage and current● Good stability and uniformity with high EAS● Excellent package for good heat dissipation● Special process technology for high *D capabilityApplication● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits● Uninterruptible power supply 无锡新洁能功率半导体有限公司是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业，是中*研发成功并上量销售大功率-*结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，紧密结合自身器件与工艺设计技术的优势，与国际*的芯片*厂、封装、测试*厂保持密切配合与合作，严谨产品质量控制，*产品的持续优质和稳定供货。

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