AOS/美国万代
AO3419
*缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
类型：经销商
电话：
手机：15817468549
联系人：何丽贤
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川） 华强北中航路新亚洲2期N2B071
标准包装 3,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
包装 带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平栅*，2.5V 驱动
漏源*电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 3.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 75 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 6.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 620pF @ 10V
功率 - *大值 1.4W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
