FIR5N60F规格：

　　种类：*缘栅（MOSFET）

　　沟道类型：N沟道

　　导电方式：增强型

　　材料：GE-N-FET锗N沟道

　　封装外形：P-DIT/塑料双列直插

　　用途：HG/高跨导

　　开启电压：600（V）

　　夹断电压：600（V）

　　跨导：10（μS）

　　*间电容：100（pF）

　　低频噪声系数：10（dB）

　　*大漏*电流：10（mA）

　　*大耗散功率：100（mW）

场效应管基本特点

　　场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三*管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双*型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：

　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID;

　　（2）场效应管的输入端电流*小，因此它的输入电阻很大。

　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

　　（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三*管组成放大电路的电压放大系数；

　　（5）场效应管的*辐射能力强；

　　（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

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类型：经销商

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