晶体管 - 场效应管MOSFET (600V以上):


STMICROELECTRONICS STD1NK60T4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V


制造商： STMICROELECTRONICS


制造商产品编号 STD1NK60T4
包装::  切割卷带
 Technical Data Sheet (427.01KB) EN
其它包装选项


 复卷 （少 150/卷） 1752022RL 
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产品信息


晶体管极性  N沟道
电流, Id 连续  500mA
漏源电压, Vds  600V
在电阻RDS（上）  8ohm
电压 @ Rds测量  10V
阈值电压 Vgs  3V
功耗 Pd  30W
晶体管封装类型  TO-252
针脚数  3引脚
工作温度值  150°C
产品范围  -
MSL  MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)  No SVHC (17-Dec-2015)


潮湿敏感级别： MSL 1 -无限制 原产地： China
进行一道重要生产流程所在的国家


RoHS 合规： 是 
  RoHS 合规证书

企业名：深圳市创唯电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-21000796

手机：13006692189

联系人：吕先生

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