4N60C为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源， DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。

4N60C高压MOS场效应管产品特点：

4A,600V，RDS(on)(典型值）1.97Ω

低电荷、低反向传输电容

开关速度快

漏极—漏极电压（VDS）:600V

漏极电流(ID):4A

栅源电压（VGS）:±30V

耗散功率（PD）:36W

结温（TJ）:150℃

储存温度(Tstg):-55~150℃

详细参数：请参照产品规格书或直接来电咨询

4N60C高压MOS场效应管应用领域

 深圳市浩畅半导体有限公司成立于2008年, 专~业研发、生产、销售半导体分立器件及IC。选购国内外著~名半导体厂家的晶圆芯片，OEM委托国内半导体封装大厂生产加工。主营贴片二、三极管系列，高、低压MOS系列，电源管理IC（AC-DC/DC-DC)， LDO低压差线性稳压器，三端稳压IC，基准源IC，LED驱动IC，降压、升压IC，电压检测，运算放大器，电压比较器，时基电路，功放电路，可控硅，整流桥等系列产品。

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