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低压MOS场效应管A3SHB主要参数介绍如下：

产品型号：SI2303  产品封装：SOT-23-3L

沟道：P沟道

漏源反向电压VDSS(V):-30V

漏极电流ID(A):-1.4A

耗散功率Power(W):0.9W 

低压MOS场效应管A3SHB详细技术参数参照规格书

低压MOS场效应管A3SHB

超低价现货批发HC/浩畅全新原装贴片式低压MOS场效应管：

 

SI2300   SI2301   SI2302   SI2303   SI2304   SI2305    SI2306   SI2307  

SI2309   SI2310   SI2311   SI2312   SI2313   SI2314    SI2315   SI2319

SI2321   SI2323   SI2325   SI2328   SI2335   SI2337    SI2341   SI2345

SI2351   SI2308   AO3400   AO3401   AO3402   AO3403    AO3404   AO3407

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A3SHB低压MOS场效应管的作用

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3.场效应管可以用作可变电阻。

4.场效应管可以方便地用作恒流源。

5.场效应管可以用作电子开关。

企业名：深圳市浩畅半导体有限公司

类型：生产制造商

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