SS8050晶体管（NPN）
ss8050
ss8050
特征SS8550


标记：Y1


大额定值（Ta=25℃，除非另有说明）


符号参数值单位


VCBO集电极基极电压40 V


VCEO集电极-发射极电压25 V


VEBO发射极基极电压5 V


IC集电极电流-连续1.5 A


PC集电极功耗0.3 W


Tj结温150℃


Tstg储存温度-55-150℃


电气特性（Ta=25℃，除非另有规定）


参数符号测试条件小典型大单位


集电极基极击穿电压V（BR）CBO IC=100μA，IE=0.40 V


集电极-发射极击穿电压V（BR）CEO IC=0.1mA，IB=0.25V


发射极-基极击穿电压V（BR）EBO IE=100μA，IC=0.5V


集电极截止电流ICBO VCB=40V，IE=0.1μA


集电极截止电流ICEO VCB=20V，IE=0.1μA


发射极截止电流IEBO VEB=5V，IC=0.1μA


hFE（1）VCE=1V，IC=100mA 120 400


直流电流增益


hFE（2）VCE=1V，IC=800mA 40


集电极-发射极饱和电压VCE（sat）IC=800mA，IB=80mA 0.5 V


基极发射极饱和电压VBE（sat）IC=800mA，IB=80mA 1.2 V


过渡频率


VCE=10V，IC=50mA


f=30MHz


100兆赫


hFE的分类（1）


秩L H J


范围120-200-350 300-400

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