AO4294 场效应管MOS

FET类型：N通道

技术：MOSFET

漏源电压（Vdss）：100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

漏源导通电阻：12 毫欧 @ 11.5A，10V

栅源极阈值电压：2.4V @ 250µA

栅源极阈值电压的栅极电荷 （Qg）（最大值）：50nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2420pF @ 50V

最大功率耗散（Ta）：3.1W（Ta）

工作温度：-55°C～150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：SOIC-8

最小包装：3000PCS

厂商：AOS

沟槽电源MV MOSFET技术100V

•低RDS(上)

•低门电路费

•针对快速切换应用程序进行优化

DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流

•工业和电机驱动应用

企业名：深圳市汉威信息技术有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 13824339040
18938967714

手机：13824339040
18938967714

联系人：王先生/杨先生

QQ：

微信：

邮箱：sales@hanvey.cn

地址：广东深圳深圳市宝安区新安街道宝安23区东联商务大厦512号