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FDP20N50 MOSFET管

FDP20N50  	MOSFET管
FDP20N50  	MOSFET管
  • 型号/规格:

    FDP20N50

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

金牌会员 第 3
  • 企业名:瀚佳科技(深圳)有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-23915992
    0755-23140719

    手机:13480654098
    13827426716

    联系人:李小姐/李先生

    QQ: QQ:3539722974QQ:3441530696

    微信:

    邮箱:3539722974@qq.com

    地址:广东深圳广东省深圳市福田区深南中路佳和大厦1501室

商品信息

FDP20N50 MOSFET管 ON  供应商介绍 

瀚佳科技(深圳)有限公司成立于2009年,是一家中国电子元器件贸易百强企业、深圳半导体协会理事单位、军用电子元器件供应商,OEM合作订货渠道商,国际独立分销商。公司总部位于香港,在台湾、新加坡、深圳、美国有独立办、事处,公司常备现货16000余种,年销售额近十亿元人民币。公司现与美国、日本、韩国、台湾、国内等ic原厂和代理商保持长期稳定的合作关系,我们所有运作流程按照ISO9001。质量管理体系执行。通过正规化流程来控制好质量和服务,保证客户得到质的采购体验。公司理念:1瀚佳科技目标:打造成国际集成电路配套服务商。2、瀚佳科技精神:求实、、高效、共赢。 

FDP20N50 MOSFET管 ON 产品属性 

制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 260 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 65 nC
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
商标名: UniFET
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 60 ns
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 120 ns
系列: FDP20N50F
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
宽度: 4.7 mm
单位重量: 2 g

MOSFET管 ON 产品图片

  MOSFET管 ON 产品图片

关于我们 


联系方式

企业名:瀚佳科技(深圳)有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-23915992
0755-23140719

手机:13480654098
13827426716

联系人:李小姐/李先生

QQ: QQ:3539722974QQ:3441530696

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地址:广东深圳广东省深圳市福田区深南中路佳和大厦1501室

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