EMB32N03P SOT-89 30V N沟道MOS管 低功耗晶体管

低功耗晶体管 EMB32N03P的极限参数：

参数	符号	数值	单位
漏极-源极电压	BVDSS	30	V
栅极-源极电压	VGS	±20	V
漏极电流-连续	ID	5.5	A
漏极电流-脉冲	IDM	24	A
功耗	PD	1.47	W
温度范围	Tj,Tstg	-55~150	℃
结到管壳的热阻	RθJC	18	℃/W
结到环境的热阻	RθJA	85	℃/W

低功耗晶体管 EMB32N03P的电气特性：

• 漏极-源极击穿电压：30V
• 栅极开启电压：1.5V（典型值）
• 栅极漏电流：±100nA
• 静态漏源导通电阻：29mΩ
• 输入电容：332pF
• 输出电容：83pF
• 反向传输电容：26pF
• 栅源电荷密度：1.1nC
• 栅漏电荷密度：2.3nC
• 开启延迟时间：8nS
• 上升时间：12nS
• 关断延迟时间：28nS
• 下降时间：15nS

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