K9F1G08U0E-SIB0内存芯片商主图

K9F1G08U0E-SIB0内存芯片商参数

制造商IC编号K9F1G08U0E-SIB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码128MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用EMBEDED COMPUTER/SBC/嵌入式計算機/ 系統基礎芯片

K9F1G08U0E-SIB0内存芯片商相关信息

通常来说，以前在智能手机和平板电脑上会使用eMMC 5.1存储，因为这种存储较为便宜。到了现在的旗舰手机eMMC存储已经满足不了需求了，所以出现了UFS 2.1 和UFS 3.0存储。从三星Galaxy S6开始，市面上就可以看见在智能手机上使用通用闪存。通俗的说，UFS就是通用闪存技术，UFS 3.0是针对需要高性能、低功耗的移动设备所开发的存储技术。

总的来说，UFS 3.0的优势就是双通道双向读写，消耗更低的功耗，同时使数据带宽翻倍。从vivo的5G手机——iQOO Pro 5G版的测试中可以看出，UFS 3.0顺序读写速度可以达到1567M/s，比较双通道的UFS 2.1提升80%以上，并且UFS 3.0还支持的NAND Flash闪存技术。说到这大家会联想到现在的5G手机，没错5G手机必须要搭配UFS 3.0存储才能真的叫5G手机，只有搭载了UFS 3.0 才可以跟得上5G的速度。

对于UFS 3.0存储来说，我们可以将其比成“电脑上的固态硬盘”，只不过是装在了手机上。这其实和电脑配备固态硬盘同理，想要更快的响应速度就要提升传输速度，所以在5G手机上UFS 3.0 存储是刚需。目前来说绝大部分手机搭载的还是UFS 2.1的存储，虽说在日常使用不会有太大问题，但是在5G网络下却是行不通的。

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