晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管（二端子）、三极管、场效应管、晶闸管（后三者均为三端子）等。晶体管有时多指晶体三极管。三端子晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET，单极性）。晶体管有三个极（端子）；双极性晶体管的三个极（端子），分别是由N型、P型半导体组成的发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极（端子），分别是源极（Source）、栅极（Gate，门极）和漏极（Drain）。晶体管因为有三个电极，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器）。

BCR555,E6327规格信息

产品种类:           双极晶体管 - 预偏置

配置:     Single

晶体管极性:    PNP

典型输入电阻器:    2.2 kOhms

典型电阻器比率:   0.22

封装 / 箱体:       SOT-23-3

直流集电极/Base Gain hfe Min:     70

集电极—发射极电压 VCEO:   50 V

集电极连续电流:    500 mA

峰值直流集电极电流:    500 mA

Pd-功率耗散:     330 mW

工作温度:   - 65 C

工作温度:  + 150 CRee

l发射极 - 基极电压 VEBO:   50 V 

高度:    1 mm 

长度:    2.9 mm 

宽度:   1.3 mm 

直流电集电极电流:    500 mA 

产品类型:     BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 

工厂包装数量:   10000

型号别名:    BCR555E6433HTMA1 BCR555E6433XT SP000010857 

单位重量:   8 mg

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