NAND闪存：K9LBG08U0D-PIB0

型号/规格：
K9LBG08U0D-PIB0
品牌/商标：
SAMSUNG
封装：
TSOP1-48
批号：
2020+

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产品分类

集成电路(IC)(3132)
∟ 逻辑IC(1)∟ 其他IC(3128)∟ 处理器MPU(3)
电源IC(1834)
∟ DC-DC(14)∟ LED驱动IC(6)∟ 稳压IC(57)∟ 充电管理IC(1)∟ 其他电源IC(1756)
半导体存储器(8)
∟ PROM（可编程ROM）(1)∟ SDRAM（同步动态存储器）(5)∟ Flash Memory（闪存/快闪存储器）(2)
传感器(25)
∟ 压电传感器(1)∟ 温(湿)度传感器(5)∟ 加速度传感器(4)∟ 其他传感器(15)
光电子/光纤/激光(1)
∟ 其他光电子、激光器件(1)

新品上架

商品信息

NAND闪存：K9LBG08U0D-PIB0
制造商：SAMSUNG
内存集成电路类型：FLASH
长度：18.4毫米
封装 / 箱体:TSOP1-48
工作温度:85 °C
工作温度:-40 °C
电源电压（Vsup）：3.6 V
电源电压（Vsup）：2.7 V

标称电源电压（Vsup）：3.3 V

端子节距：0.5 mm
宽度：12.4毫米
封装形式：小外形，薄型

温度等级：工业

编程电压：3.3 V
座面高度：1.2毫米
封装主体材料：PLASTIC / EPOXY

NAND闪存：K9LBG08U0D-PIB0功能特征：
•电源电压：2.7 V〜3.6 V
•组织
-存储单元阵列：（2G + 64M）x 8位
-数据寄存器：（4K + 128）x 8位
•自动编程和擦除
-页面程序：（4K + 128）Byte
-块擦除：（512K + 16K）Byte
•页面读取操作
-页面大小：（4K + 128）Byte
-随机读取：60μs（）
-串行访问：25ns（）
* K9XDG08U5M：50ns（）
•存储器单元：2bit /存储器单元
•快速的写入周期时间
-编程时间：800μs（典型值）
-块擦除时间：1.5ms（Typ。）
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
-电源转换期间的编程/擦除锁定

NAND闪存：功能框图：