^{2SK3565 MOSFET Toshiba}

^{制造商:   Toshiba} 

^{产品种类:      MOSFET}

^{RoHS:     N}    

^{技术:      Si}    

^{安装风格:      Through Hole}

^{封装 / 箱体:  TO-220FP-3} 

^{晶体管极性:   N-Channel}   

^{通道数量:      1 Channel}     

^{Vds-漏源极击穿电压:  900 V}    

^{Id-连续漏极电流:  5 A} 

^{Rds On-漏源导通电阻: 2.5 Ohms}     

^{Vgs - 栅极-源极电压:  - 30 V, + 30 V}      

^{工作温度:      - 55 C}   

^{Pd-功率耗散: 45 W}     

^{通道模式:      Enhancement}

^{商标名:   MOSIV}   

^{配置:      Single}    

^{高度:      15 mm}  

^{长度:      10 mm}  

^{系列:      2SK3565} 

^{晶体管类型:   1 N-Channel} 

^{宽度:      4.5 mm}  

^{商标:      Toshiba} 

^{下降时间:      60 ns}     

^{产品类型:      MOSFET}

^{上升时间:      30 ns}     

^{工厂包装数量:      50}   

^{子类别:   MOSFETs}

^{2SK3565 MOSFET Toshiba}

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