PNM723T201E0 原装 MOSFET及IGBT驱动器 的技术参数：

制造商	Prisemi
描述	N-Channel MOSFET
外包装	Tape & Reel
丝印	P2
安装类型	贴片安装
类别	场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)	20V
连续漏极电流(Id)	1A
功率(Pd)	140nW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	250mΩ@4.5V,650mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)	1.1V@1mA
极性	N-Channel, PNP

 

PNM723T201E0 原装 MOSFET及IGBT驱动器的描述

The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness.

 

MT29F64G08CBABAWP固带  10K  23+

KLM8G1GETF-B041  10K  23+

KLMBG2JETD-B041  10K  23+

KLMAG1JETD-B041  10K  23+

K4E6E304EC-EGCG  10K  23+

K4B4G1646E-BCNB  10K  23+

K4F6E3S4HM-MGCJ  10K  23+

K4AAG165WA-BCWE  10K  23+

K4B4G0846E-BCNB  10K  23+

H5TC4G83BFR-PBA   95  17+

H26M41204HPR     5  20+

SDTNRGAMA-008G   35  21+

K4UBE3D4AA-MGCL  10K  23+

K4UBE3D4AB-MGCL  10K  23+

K4U6E3S4AA-MGCR  10K  23+

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