FDMC5614P  全新原装  MOSFET

 

制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Power-33-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	13.5 A
Rds On-漏源导通电阻	84 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
工作温度	- 55 C to %2B 150 C
Pd-功率耗散	2.1 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
晶体管类型	1 P-Channel
下降时间/上升时间	11 ns/11 ns
典型关闭延迟时间	32 ns
典型接通延迟时间	10 ns

 

PowerTrench? P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench? MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 

更新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench? MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供excellent的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench? P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

PowerTrench? MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。

更新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。

PowerTrench? MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供excellent的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

 

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