BSC320N20NS3G 原装 场效应管

N沟道200V 36A

BSC320N20NS3G 原装 场效应管的 技术参数：

制造商	Infineon
类型	N沟道
漏极至源极电压(Vdss)	200V
连续漏极电流(Id)	36A
功率(Pd)	125W
开态Rds（max）@ Id, Vgs @ 25°C	32mΩ@10V,36A
阈值电压(Vgs(th)@Id)	4V@90uA
产品种类	场效应管(MOSFET)
标准包装	5000
类别	分离式半导体产品
家庭	FET -单
系列	OptiMOS™
FET特点	逻辑电平门
电流-连续漏极(Id)	@ 25°C：36A
闸电荷(Qg) @ Vgs	29nC @ 10V
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-PowerTDFN
供应商设备封装	PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包装	带卷(TR)

BSC320N20NS3G 原装场效应管的特征：

•N-channel, normal level

•Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

•Very low on-resistance R DS(on)

•Pb-free lead plating; RoHS compliant

•Qualified according to JEDEC1) for target application

•Halogen-free according to IEC61249-2-21

•Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

企业名：深圳市迅丰达电子科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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