STD80N4F6 原装 MOSFET

汽车级N沟道40 V、5.5 mOhm典型值、80 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装

表面贴装型 N 通道 40 V 80A（Tc） 70W（Tc） DPAK

晶体管- FET，MOSFET -单个

分立式场效应晶体管(FET)广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则IGBT等其他器件更具竞争力。

描述：

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET™

DeepGATE™technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.

STD80N4F6 原装 MOSFET 的技术参数：

制造商	STMicroelectronics
产品种类	MOSFET
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装/箱体	TO-252-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	80 A
Rds On-漏源导通电阻	6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4 V
Qg-栅极电荷	36 nC
（min）工作温度	- 55 C
（max）工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	70 W
配置	Single
资格	AEC-Q101
系列	STD80N4F6
晶体管类型	1 N-Channel
下降时间	11.9 ns
上升时间	7.6 ns
典型关闭延迟时间	46.1 ns
典型接通延迟时间	10.5 ns

STD80N4F6 原装 MOSFET 的特征：

RDS(on) max：6毫欧

VDS ：40 V

Order code：STD80N4F6

ID：80 A

Designed for automotive applications andAEC-Q101 qualified

Low gate charge

Very low on-resistance

High avalanche ruggedness

企业名：深圳市迅丰达电子科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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