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NVGS5120PT1G原装 场效应管(MOSFET)

供应NVGS5120PT1G原装   场效应管(MOSFET)
供应NVGS5120PT1G原装   场效应管(MOSFET)
  • 型号/规格:

    NVGS5120PT1G

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    TSOP-6

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

金牌会员 第 3
  • 企业名:深圳市迅丰达电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 13824331138

    手机:13824331138

    联系人:陈小姐

    QQ: QQ:2885869107

    微信:

    邮箱:491961368@qq.com

    地址:广东深圳赛格广场3504A

商品信息

NVGS5120PT1G原装   场效应管(MOSFET)

单P沟道功率MOSFET -60V,-2.9A,111mΩ

适用于低功率应用的汽车用功率MOSFET。-60V -2.9A,111 Ω,单P沟道,TSOP-6,逻辑电平。通过AEC-Q101  certification 的MOSFET,符合生产件批准程序(PPAP),适用于汽车应用。

特性: 

·Leading Edge Trench Technology for Low RDS(on) 

·4.5 V Gate Rating 

·AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable 

应用:

·Load Switch

·Power Switch for Printer and Communication Equipments

·Low Current Inverter and DC-DC

优势:System Efficiency Improvement

终端产品:Infotainment systems. Radios. Navigation systems. Clusters

NVGS5120PT1G原装   场效应管(MOSFET) 的技术参数:

类型

P沟道

连续漏极电流(Id)

2.1A

功率(Pd)

1.1W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

72mΩ@10V,2.9A

阈值电压(Vgs(th)@Id)

3V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

18.1nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

942pF@30V

反向传输电容(Crss@Vds)

48pF@30V

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

25°C时电流-连续漏极(Id)

1.8A(Ta)

驱动电压(zui大Rds On,zui小Rds On)

4.5V,10V  

不同Id、Vgs时导通电阻(max)

111毫欧@ 2.9A,10V

Vgs(max)

±20V

只做原装,价格优势,原盒原标,22+有需要的联系

KLMBG2JETD-B041

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K4B4G1646E-BCNB

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MTFC8GAKAJCN-4MIT

MICRON/镁光

MTFC4GACAJCN-4MIT

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MTFC4GACAJCN-1MWT

MICRON/镁光

MT53E256M32D2DS-053WTB

MICRON/镁光

MT53D512M64D4HR-053WTD

MICRON/镁光


联系方式

企业名:深圳市迅丰达电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 13824331138

手机:13824331138

联系人:陈小姐

QQ: QQ:2885869107

微信:

邮箱:491961368@qq.com

地址:广东深圳赛格广场3504A

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