类别

晶体管- FET，MOSFET -单个

制造商

Infineon

系列

HEXFET®

包装

卷带（TR）

Product Status

不适用于新设计

FET类型

N通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

40V

25°C时电流-连续漏极(Id)

240A

驱动电压（zui大Rds On，zui小Rds On）

4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（max）

1.4毫欧@ 200A，10V

不同Id时Vgs(th)（max）

2.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（max）

180 nC @ 4.5 V

Vgs（max）

±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（max）

10990 pF @ 40 V

功率耗散（max）

380W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

 表面贴装型

供应商器件封装

D2PAK（7-Lead）

MT29F64G08CBABBWPR:B

MICRON/美光

KLMBG2JETD-B041

SAMSUNG/三星

KLMAG1JETD-B041

SAMSUNG/三星

KLM8G1GETF-B041

SAMSUNG/三星

KLM4G1FETE-B041

SAMSUNG/三星

K4E8E324EB-EGCF

SAMSUNG/三星

K4E6E304EB-EGCF

SAMSUNG/三星

K4E6E304EC-EGCG

SAMSUNG/三星

K4B4G1646E-BCNB

SAMSUNG/三星

K4A8G165WB-BCRC

SAMSUNG/三星

K4U6E3S4AA-MGCR

SAMSUNG/三星

K4UBE3D4AA-MGCL

SAMSUNG/三星

K4UBE3D4AB-MGCL

SAMSUNG/三星