产品属性    属性值
制造商:     Infineon
产品种类:     MOSFET
RoHS:      详细信息
技术:     Si
安装风格:     SMD/SMT
封装 / 箱体:     TO-252-3
晶体管极性:     N-Channel
通道数量:     1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:     700 V
Id-连续漏极电流:     12.5 A
Rds On-漏源导通电阻:     300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:     - 16 V, %2B 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:     2.5 V
Qg-栅极电荷:     16.4 nC
zui小工作温度:     - 40 C
zui大工作温度:     %2B 150 C
Pd-功率耗散:     59.5 W
通道模式:     Enhancement
商标名:     CoolMOS
封装:     Reel
封装:     Cut Tape
封装:     MouseReel
商标:     Infineon Technologies
配置:     Single
下降时间:     18 ns
高度:     2.3 mm
长度:     6.5 mm
湿度敏感性:     Yes
产品类型:     MOSFET
上升时间:     8 ns
系列:     CoolMOS P7
工厂包装数量    2500
子类别:     MOSFETs
晶体管类型:     1 N-Channel
典型关闭延迟时间:     100 ns
典型接通延迟时间:     19 ns
宽度:     6.22 mm
零件号别名:     IPD70R360P7S SP001491634
单位重量:     330 mg

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）IPD70R360P7SAUMA1
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV IPD70R360P7SAUMA1
精度：?0.05PF（A档） ?0.1PF（B档） ?0.25PF（C档） ?0.5%（D档）
?1%（F档） ?2%（G档） ?5%（J档） ?10%（K档）IPD70R360P7SAUMA1
?20%（M档） ?%2B80%-20%（Z档）IPD70R360P7SAUMA1
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

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