产品属性     属性值    
制造商:     STMicroelectronics     
产品种类:     MOSFET     
RoHS:      详细信息     
技术:     Si     
安装风格:     Through Hole     
封装 / 箱体:     TO-220-3     
晶体管极性:     N-Channel     
通道数量:     1 Channel     
Vds-漏源极击穿电压:     650 V     
Id-连续漏极电流:     11 A     
Rds On-漏源导通电阻:     380 mOhms     
Vgs - 栅极-源极电压:     - 25 V, %2B 25 V     
Vgs th-栅源极阈值电压:     3 V     
Qg-栅极电荷:     17 nC     
zui小工作温度:     - 55 C     
zui大工作温度:     %2B 150 C     
Pd-功率耗散:     25 W     
通道模式:     Enhancement     
商标名:     MDmesh     
封装:     Tube     
商标:     STMicroelectronics     
配置:     Single     
下降时间:     9.5 ns     
产品类型:     MOSFET     
上升时间:     10 ns     
系列:     STF13N60M2     
工厂包装数量    1000     
子类别:     MOSFETs     
晶体管类型:     1 N-Channel     
典型关闭延迟时间:     41 ns     
典型接通延迟时间:     11 ns     
单位重量:     2 g

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）STF13N60M2
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV STF13N60M2
精度：?0.05PF（A档） ?0.1PF（B档） ?0.25PF（C档） ?0.5%（D档）
?1%（F档） ?2%（G档） ?5%（J档） ?10%（K档）
?20%（M档） ?%2B80%-20%（Z档）STF13N60M2
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

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