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产品型号：MMBT5401LT1G

封装形式：SOT23-3
批次：21+
MMBT5401LT1G类别：场效应管

MMBT5401LT1G描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

MMBT5401LT1G制造应用：通用 制造商: onsemi

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: PNP 配置: Single
集电极—发射极MAX电压 VCEO: - 150 V 集电极—基极电压 VCBO: - 160 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V 集电极—射极饱和电压: - 500 mV
MAX直流电集电极电流: - 500 mA Pd-功率耗散: 225 mW
增益带宽产品fT: 300 MHz MIN工作温度: - 55 C MAX工作温度: + 150 C
系列: MMBT5401L  封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 商标: onsemi
集电极连续电流: - 500 mA 直流集电极/Base Gain hfe Min: 50 高度: 0.94 mm 长度: 2.9 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors 子类别: Transistors 技术: Si
宽度: 1.3 mm 单位重量: 8 mg 晶体管类型： PNP
电流 - 集电极 (Ic)（MAX值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（MAX值）： 150 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（MAX值）： 500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（MAX值）： 50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（MIN值）： 60 @ 10mA，5V
功率 - MAX值： 300 mW 频率 - 跃迁： 300MHz 工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
电流 - 集电极 (Ic)（MAX值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（MAX值）： 150 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（MAX值）： 500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（MAX值）： 50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（MIN值）： 60 @ 10mA，5V
功率 - MAX值： 300 mW 频率 - 跃迁： 300MHz 工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

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