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SI6562CDQ-T1-GE3 MOSFET

供应 SI6562CDQ-T1-GE3 MOSFET
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  • 型号/规格：

    SI6562CDQ-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    VISHAY

  • 封装形式：

    8-TSSOP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

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商品信息

供应  SI6562CDQ-T1-GE3  MOSFET

供应  SI6562CDQ-T1-GE3  MOSFET

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FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.7A，6.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）
22 毫欧 @ 5.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）
1.5V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）
23nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）
850pF @ 10V
功率 - zui大值
1.6W，1.7W
工作温度
-55?C ~ 150?C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装
8-TSSOP
基本产品编号
SI6562

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