型号：FQP30N06L

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型号：FQP30N06L

公司坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则，将产品质量和客户利益放在首位，腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100%原装，对货物所涉及的各个环节严格把关。货物质量是我们的首要任务，降低客户成本是我们的追求。

型号：FQP30N06L

型号：FQP30N06L

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 32 A
Rds On-漏源导通电阻: 27 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 79 W
通道模式: Enhancement
商标名: QFET
系列: FQP30N06L
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 110 ns
正向跨导 - 小值: 24 S
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 210 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 4.7 mm
零件号别名: FQP30N06L_NL
单位重量: 2 g

企业名：深圳市腾桩电子有限公司

类型：

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