型号：FQD2N60CTM

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型号：FQD2N60CTM

公司坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则，将产品质量和客户利益放在首位，腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100%原装，对货物所涉及的各个环节严格把关。货物质量是我们的首要任务，降低客户成本是我们的追求。

型号：FQD2N60CTM

型号：FQD2N60CTM

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 1.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
系列: FQD2N60C
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 28 ns
正向跨导 - 小值: 5 S
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: FQD2N60CTM_NL
单位重量: 330 mg

型号：FQD2N60CTM

企业名：深圳市腾桩电子有限公司

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