型号：FQU5N50C

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型号：FQU5N50C

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型号：FQU5N50C

型号：FQU5N50C

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
系列: FQU5N50
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 48 ns
高度: 6.3 mm
长度: 6.8 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 46 ns
5040
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
宽度: 2.5 mm
单位重量: 340 mg

型号：FQU5N50C

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