标题：场效应管   SI2308CDS-T1-GE3  VISHAY

属性：制造商: Vishay  
产品种类: MOSFET  
RoHS:  详细信息  
技术: Si  
安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: SOT-23-3  
晶体管极性: N-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 60 V  
Id-连续漏极电流: 2.6 A  
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V  
Qg-栅极电荷: 2 nC  
zui小工作温度: - 55 C  
zui大工作温度: %2B 150 C  
Pd-功率耗散: 1.6 W  
通道模式: Enhancement  
系列: Si2308CDS  
封装: Reel  
封装: Cut Tape  
封装: MouseReel  
商标: Vishay Semiconductors  
配置: Single  
下降时间: 16 ns  
正向跨导 - zui小值: 3.2 S  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 25 ns  
工厂包装数量: 3000  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 10 ns  
典型接通延迟时间: 23 ns  
单位重量: 8 mg 

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