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2N60低导通电阻 + 高频切换，续航提升 20%

型号/规格：
2N60
品牌/商标：
MIC/SZXYL
封装形式：
TO-220
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
直插式
包装方式：
盒装
功率特征：
小功率

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二极管(295)
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新品上架

商品信息 更新时间：2025-06-02

2N60 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源转换、开关电源、逆变器等领域。它以其高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关速度而闻名，能够有效提高电路效率并减少能量损耗。该MOSFET采用 TO-220 封装，适合通孔安装，具有良好的散热性能。
产品特性高电压耐受能力：漏源电压（VDS）为600V，能够承受较高的电压，适用于高电压环境。
低导通电阻：在25℃时，导通电阻（RDS(on)）约为0.18Ω，有效减少导通时的能量损耗，提高电路效率。
高电流能力：漏极电流（ID）为12A，能够处理较大的电流，适用于多种高功率应用。
快速开关速度：具有快速的开关速度，适用于高频开关应用。
低栅极电荷：低栅极电荷（Qg）确保快速开关，减少开关损耗。
封装形式：采用TO-220封装，适合通孔安装，具有良好的散热性能。
工作原理2N60 MOSFET的工作原理基于场效应原理，通过栅极电压控制漏极和源极之间的导通和截止。
导通：当栅极电压（VGS）高于阈值电压（Vth）时，漏极和源极之间的通道打开，电流可以自由流动。2N60的低导通电阻（0.18Ω）确保了高效的电流传输，减少了能量损耗。
截止：当栅极电压（VGS）低于阈值电压（Vth）时，漏极和源极之间的通道关闭，阻止电流的流动。2N60的漏极电流（ID）在截止状态下非常小，确保电路在关闭时的稳定性。
快速开关：2N60具有快速的开关速度，适用于高频开关应用，能够快速切换，减少开关损耗。
应用场景高频开关电源：在开关电源中，可以减少开关损失，提高电源的效率。
逆变器：在逆变器中，用于将直流电转换为交流电，提供快速切换，提高逆变器的效率。
电机驱动：在电机驱动电路中，用于控制电机的启动和停止，提供高效的功率控制。
电源适配器：在电源适配器中，用于整流和保护，确保稳定的直流输出。
LED照明：在LED照明设备中，用于电源管理，确保稳定的直流电源。
选型建议工作电压：确保MOSFET的漏源电压（VDS）高于电路中的电压。
工作电流：选择能够承受电路中电流的MOSFET，保证电路的稳定性和效率。
封装形式：根据电路板设计和安装空间选择合适的封装形式。
散热措施：在设计电路时考虑适当的散热措施，以保持在安全的工作温度范围内。
总结凭借其高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关速度，成为高频电路和电源管理应用中的理想选择。其广泛应用于高频开关电源、逆变器、电机驱动和电源适配器等领域，能够有效提高电路效率并减少能量损耗。