类别	分立半导体产品 晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	SuperFET? III
包装	卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷带
零件状态	不适用于新设计
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)	40A（Tc）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）	82 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）	5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）	81 nC @ 10 V
Vgs（zui大值）	?30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）	3410 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（zui大值）	313W（Tc）
工作温度	-55?C ~ 150?C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263（D2PAK）
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 %2B 凸片），TO-263AB
基本产品编号	NTB082

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