MOS管封测

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极性：NPN

Drain-SourceVoltage漏源电压,V_DSS：30V

Gate-to-SourceVoltage-Continuous栅源电压,V_GSS：±20V

CurrentDrainContinuous漏极电流连续,I_D：50A

DrainCurrentContinuous漏极电流连续,(T_C+100°C),I_D：35A

lPowerDissipation功耗,P_D：60W

OperatingJunctionAndStorageTemperatureRange工作结点和储存温度,T_J,T_STG：-55~175°C

50N03

有各类型的MOS管封测需求，可以联系，主打100V内，封装类型有SOP8,DFN,T0-252,TO-263,TO220.SOT23等

联系方式

企业名：深圳市芯亿创实业有限公司

类型：

电话： 13480949945

手机：13480949945

联系人：曾运通

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邮箱：619478743@qq.com

地址：广东深圳深圳市光明区马田街道新庄社区南庄高田区4排1号明兰商厦501

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