场效应管2N3055

品牌/商标：
BNT/ST
型号/规格：
2N3055
种类：
绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MOS-INM/独立组件
封装外形：
LLCC/无引线陶瓷片载
材料：
N-FET硅N沟道
夹断电压：
700（V）
漏极电流：
400（mA）
耗散功率：
115（mW）

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产品分类

电源IC(1)
∟ 稳压IC(1)
半导体存储器(1)
二极管(28)
∟ 整流二极管(1)∟ 稳压二极管(1)∟ 开关二极管(2)∟ 肖特基二极管(5)∟ 其他二极管(5)
三极管(31)
∟ 功率三极管(7)∟ 开关三极管(8)∟ 复合(达林顿)三极管(6)
场效应管MOSFET(10)
∟ MOSFET(6)
可控硅IGBT(80)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(11)∟ 双向可控硅(晶闸管)(29)

新品上架

商品信息

2N3055的详细参数介绍 Technical/Catalog Information 2N3055 Vendor ON Semiconductor 类别 Discrete Semiconductor Products 晶体管类型 NPN 电压 - 集电极发射极击穿（） 60V 电流 - 集电极 (Ic)（） 15A 功率 - 115W 在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE) 20 @ 4A, 4V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（） 1.1V @ 400mA, 4A 频率 - 转换 - 电流 - 集电极截止（） 700碌A 安装类型 Chassis Mount 封装/外壳 TO-3 Packaging Tray Lead Free Status Contains Lead RoHS Status RoHS Non-Compliant 其他名称 2N3055 2N3055 2N3055OS ND 2N3055OSND 2N3055OS

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