INFINEON/英飞凌
SPW20N60S5
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
600
600
50
企业名:深圳市富利通电子有限公司
类型:生产企业
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∟ 快/超快/特快恢复二极管(2)
INFINEON英飞凌原装COOLMOS产地:德国
SPA20N60S5 TO-247
相关介绍
SPP20N60S5 VDS/600V; RDS0.19Ω; /D/20.7A; 208W;
Marking:20N60S5
英飞凌的功率芯片的生产工艺采用了离子注入技术,这是一种全球领先的工艺技术,而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术;离子注入技术与热扩散技术相比,其优点在于,离子注入技术可以很好地控制半导体扩散到硅基板中的浓度和厚度,精度极高,制造的器件有一个重要特点就是一致性特别好,而旧的离子扩散技术由于温度控制的精度很难做得很高,所以器件的一致性不如离子注入技术。
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