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NDFP03N150CG MOSFET ON

NDFP03N150CG MOSFET ON
NDFP03N150CG MOSFET ON
  • 型号/规格:

    NDFP03N150CG

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • Id-连续漏极电流:

    2.5 A

  • Rds On-漏源导通电阻:

    10.5 Ohms

  • Vds-漏源极击穿电压:

    1.5 kV

  • Qg-栅极电荷:

    34 nC

金牌会员 第 16
  • 企业名:深圳市中立信电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-23956688
    0755-23956688

    手机:13410226883

    联系人:叶先生/王先生

    QQ: QQ:2270672799QQ:3383957101

    邮箱:Lee@zlxele.com

    地址:广东深圳深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室

产品分类
商品信息

NDFP03N150CG

MOSFET N-CH Power MOSFET 1500V 2.5A

N-Channel Power MOSFET  1500V, 2.5A, 10.5Ω, TO-220F-3FS


型号: NDFP03N150CG

制造商: ON Semiconductor 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220F-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV 

Id-连续漏极电流: 2.5 A 

Rds On-漏源导通电阻: 10.5 Ohms 

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 

Qg-栅极电荷: 34 nC 

工作温度: + 150 ℃ 

配置: Single 

Pd-功率耗散: 32 W 

通道模式: Enhancement 

封装: Tube 

系列: NDFP03N150C  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: ON Semiconductor  

下降时间: 44 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 20 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 148 ns  

典型接通延迟时间: 15 ns  

单位重量: 6 g


NDFP03N150CG Features

• On-resistance RDS(on)=8Ω(typ.)

• Input Capacitance Ciss=650pF(typ.)

• 10V drive


NDFP03N150CG Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C

Parameter Symbol Conditions Ratings Unit

Drain to Source Voltage VDSS 1500 V

Gate to Source Voltage VGSS ±30 V

Drain Current (DC) ID 2.5 A

Drain Current (DC) Limited by Package IDL 2 A

Drain Current (Pulse) IDP PW≤10μs, duty cycle≤1% 5 A

Allowable Power Dissipation PD

2 W

Tc=25°C 32 W

Channel Temperature Tch 150 °C

Storage Temperature Tstg - 55 to +150 °C

Avalanche Energy (Single Pulse) *1

 EAS 20 mJ

Avalanche Current *2

 IAV 2 A 


联系方式

企业名:深圳市中立信电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-23956688
0755-23956688

手机:13410226883

联系人:叶先生/王先生

QQ: QQ:2270672799QQ:3383957101

邮箱:Lee@zlxele.com

地址:广东深圳深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室

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