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STF7LN80K5 MOSFET STM

STF7LN80K5 MOSFET STM
STF7LN80K5 MOSFET STM
  • 型号/规格:

    STF7LN80K5

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-220FP

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    Tube

  • 通道数量:

    : 1 Channel

  • Vds-漏源极击穿电压:

    : 800 V

  • Id-连续漏极电流:

    : 5 A

  • Rds On-漏源导通电阻:

    : 1.15 Ohms

金牌会员 第 16
  • 企业名:深圳市中立信电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-23956688
    0755-23956688

    手机:13410226883

    联系人:叶先生/王先生

    QQ: QQ:2270672799QQ:3383957101

    邮箱:Lee@zlxele.com

    地址:广东深圳深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室

产品分类
商品信息

STF7LN80K5

MOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package


Description STF7LN80K5

This very high voltage N-channel Power  MOSFET is designed using MDmesh™ K5  technology based on an innovative proprietary  vertical structure. The result is a dramatic  reduction in on-resistance and ultra-low gate  charge for applications requiring superior power  density and high efficiency.


Applications

• Switching applications

Features

• Industry’s lowest RDS(on) x area

• Industry’s best figure of merit (FoM)

• Ultra-low gate charge

• 100% avalanche tested

• Zener-protected


型号: STF7LN80K5

制造商: STMicroelectronics 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220FP-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 800 V 

Id-连续漏极电流: 5 A 

Rds On-漏源导通电阻: 1.15 Ohms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 

Qg-栅极电荷: 12 nC 

工作温度: - 55 C 

工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 25 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

商标名: MDmesh 

系列: STF7LN80K5  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 17.4 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 6.7 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 23.6 ns  

典型接通延迟时间: 9.3 ns


联系方式

企业名:深圳市中立信电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-23956688
0755-23956688

手机:13410226883

联系人:叶先生/王先生

QQ: QQ:2270672799QQ:3383957101

邮箱:Lee@zlxele.com

地址:广东深圳深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室

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